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深圳市科特翎科技有限公司
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产品信息
LED发光原理
发光二极管是由Ⅲ-Ⅴ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP
（磷砷化镓）等半导体制成的，其是PN结,中间的有双异质结构构成的有源层，
这个有源层就是发光区.因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、
击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区
注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数
载流子（多子）复合，并以光和热的形式放出能量。
发光二极管是由Ⅲ-Ⅴ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP
（磷砷化镓）等半导体制成的，其是PN结,中间的有双异质结构构成的有源层，
这个有源层就是发光区.因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、
击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区
注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数
载流子（多子）复合，并以光和热的形式放出能量。
